发明名称 基板处理方法、记录媒体及基板处理装置
摘要
申请公布号 TWI347633 申请公布日期 2011.08.21
申请号 TW096111103 申请日期 2007.03.29
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 德野圭哉;长安宏
分类号 H01L21/30;H01L21/00 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种基板处理方法,系在进行使用药液处理基板之药液处理工程之后,进行使基板乾燥之乾燥处理工程的基板处理方法,其特征为:以按照在上述药液处理工程中所使用之药液的种类,至少在上述乾燥处理工程时切换成降低上述基板之周围的湿度之状态和不降低上述基板之周围的湿度之状态的方式,来进行湿度调节。如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,在上述乾燥处理工程中,切换成降低上述基板之周围的湿度之时,供给含IPA(异丙醇)的流体,于不降低上述基板之周围的湿度之时,则不供给含IPA之流体。如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,进行:使用药液处理基板的药液处理工程;使用冲洗液处理基板的冲洗液处理工程;将含IPA的流体供给至基板的上面,以形成液膜的液膜形成工程;和使基板乾燥的乾燥处理工程,在上述液膜形成工程及乾燥处理工程中,按照在上述药液处理工程中所使用之药液之种类,切换成降低上述基板之周围的湿度之状态,使在上述乾燥处理工程中,将含IPA的流体供给至基板的上面。如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,于上述药液处理工程之后,上述基板的疏水性比上述药液处理工程前更为增强时,则较上述基板的疏水性无增强时,更藉由上述湿度的调节来降低上述基板之周围的湿度。如申请专利范围第1项所记载之基板处理方法,其中,上述药液为DHF(稀氢氟酸)液或HF(氢氟酸)液时,则较上述药液为SC-1液或SC-2液时,更藉由上述湿度的调节来降低上述基板之周围的湿度。一种基板处理方法,系在使用复数种的药液处理基板后,使基板乾燥的方法,其特征为:进行:用第一药液处理基板的第一药液处理工程;在上述第一药液处理工程后,使基板乾燥之乾燥处理工程;于上述第一药液处理工程之后,使基板乾燥之乾燥处理工程之后,用第二药液施行处理的第二药液处理工程;和在上述第二药液处理工程之后,使基板乾燥的乾燥处理工程,且至少在上述第二药液处理工程之后使基板乾燥之乾燥处理工程中,使上述基板周围的湿度较上述第一药液处理工程时更为降低。如申请专利范围第6项所记载之基板处理方法,其中,上述第二药液系DHF液或HF液。如申请专利范围第1或6项所记载之基板处理方法,其中,藉由上述湿度的调节,降低上述基板之周围的湿度时,使露点温度成为-40℃以下。如申请专利范围第1或6项所记载之基板处理方法,其中,上述基板之周围的湿度调节系藉由切换:对上述基板的周围供给从FFU(Fan Filter Unit:风机过滤器单元)所供给之清净空气的状态、与供给湿度较上述清净空气低之低露点气体的状态而进行。如申请专利范围第9项所记载之基板处理方法,其中,上述低露点气体系CDA(Clean Dry Air:洁净乾燥空气)或氮气。一种记录媒体,系记录有可藉由进行基板的药液处理及乾燥处理之基板处理装置的控制电脑来执行的软体之记录媒体,其特征为:上述软体系利用上述控制电脑执行,藉以使上述基板处理装置进行如申请专利范围第1或6项所记载之基板处理方法。一种基板处理装置,系使用药液对基板进行药液处理之后,使基板乾燥之装置,其特征为:具备供给相互为不同种类之药液的复数药液供给源;调节基板之周围的湿度之湿度调节机构;和控制上述湿度调节机构的控制部,且上述控制部系以按照上述药液的种类至少于乾燥时切换成降低上述基板之周围的湿度之状态和不降低上述基板之周围的湿度之状态之方式,来调节湿度而加以控制。如申请专利范围第12项所记载之基板处理装置,其中,具备供给含IPA之流体的流体供给源,且上述控制部系在降低上述基板之周围的湿度之状态下,供给含IPA的流体,在不降低上述基板之周围的湿度之状态下,不供给含IPA之流体。如申请专利范围第12项所记载之基板处理装置,其中,上述控制部系以由于药液处理所使用之药液,使得基板之疏水性增强时,比基板之排水性无增强时,更降低上述湿度的方式而加以控制。如申请专利范围第12项之基板处理装置,其中,上述控制部系以药液处理之时所使用之药液为DHF液时,较上述药液为SC-1液或SC-2液时,更降低上述基板之周围的湿度的方式而加以控制。一种基板处理装置,系使用药液处理基板的装置,其特征为:具备供给相互为不同种类之药液的复数药液供给源;调节基板周围的湿度之湿度调节机构;和控制上述湿度调节机构的控制部,且上述控制部系以进行用第一药液施行处理的第一药液处理工程;和在上述第一药液处理工程后,使基板乾燥之乾燥处理工程;于上述第一药液处理工程之后使基板乾燥之乾燥处理工程之后,用第二药液施行处理的第二药液处理工程;和在上述第二药液处理工程后,使基板乾燥的乾燥处理工程的方式加以控制,且以至少在上述第二药液处理工程之后使基板乾燥之乾燥处理工程中,使上述基板之周围的湿度较上述第一药液处理工程时更为降低的方式而加以控制。如申请专利范围第16项所记载之基板处理装置,其中,上述第二药液含有DHF液或HF液。如申请专利范围第12或16项所记载之基板处理装置,其中,使上述湿度降低时,将露点温度设为-40℃以下。如申请专利范围第12或16项之基板处理装置,其中,具备供给清净空气的FFU(Fan Filter Unit:风机过滤器单元);和供给湿度较上述清净空气低的低露点气体之低露点气体供给源,且构成可切换对上述基板的周围供给上述清净空气的状态与供给上述低露点气体的状态。如申请专利范围第19项所记载之基板处理装置,其中,具备接取从上述FFU供给的上述清净空气之接取用杯;将上述接取用杯内的清净空气导入上述基板的周围之清净空气供给管路;和将上述接取用杯内的清净空气排出至上述接取用杯的外部之清净空气排出口。如申请专利范围第19项所记载之基板处理装置,其中,具备将上述清净空气或上述低露点气体导入上述基板的周围之主供给管路;和将从上述FFU供给的上述清净空气导入上述主供给管路的清净空气供给管路;和将从上述低露点气体供给源所供给的上述低露点气体导入上述主供给管路的低露点气体供给管路,且设置可将上述清净空气供给管路与上述主供给管路连通的状态和遮断的状态予以切换的切换部,在上述切换部,上述清净空气供给管路的下游端部系指向朝上述主供给管路的上游端部而吐出上述清净空气的方向,上述清净空气供给管路与上述主供给管路系具备在互相相同之直线上,上述低露点气体供给管路系经由上述切换部连接于上述主供给管路,在上述切换部,上述低露点气体供给管路的下游端部系指向朝与上述主供给管路之上游端部相异的位置而吐出上述低露点气体的方向。如申请专利范围第19项所记载之基板处理装置,其中,上述低露点气体系CDA(Clean Dry Air:洁净乾燥空气)或氮气。
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