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一种制造半导体元件的方法，该半导体元件具有复数个层序列，其中每一个层序列(8、24、30)含有一可热连接的金层，其中该等层序列(8、24、30)之至少一者含有一种半导体材料，且该等层序列系经由热压形成的连接层(1、21、31、41)彼此连接，其中该金层被连接成共同的连接层，而且是在200℃至500℃的温度及0.1MPa至20MPa的压力下进行连接，其中该半导体元件的作用是发射辐射，且该半导体材料具有主要由III-V族半导体材料构成的磊晶生长的层序列(8、24、30)，此外从该连接层(1、21、31、41)看出去，在该等经连接的层序列中，每一个连接层的后面具有一阻挡层(42)，而且每一个阻挡层(42)的后面具有一含可延展金属之层(44)。如申请专利范围第1项的方法，其中该半导体材料具有薄膜晶片。如申请专利范围第2项的方法，其中该半导体材料具有薄层发光二极体。如申请专利范围第1项的方法，其中一个层序列具有一替代基板(5、22、35)，其他的层序列则含有该半导体材料。如申请专利范围第4项的方法，其中这些金层(1a、1b、21a、21b、31a、31b、41a、41b)具有不同的厚度。如申请专利范围第4或5项的方法，其中在一第一金层(1a、21a、31a、41a)及该半导体材料之间，以及在一第二金层(1b、21b、31b、41b)及该替代基板(5、22、35)之间分别设置有选自以下群组的至少一个机能性层，该群组由增附层(2、32、36)、反射层(38、39)、屏障层、接触层(4、7、38)、及缓冲层所构成。如申请专利范围第4或6项的方法，其中该替代基板(5、22、35)是一种锗载体、陶瓷载体、或钼薄片。如申请专利范围第1项的方法，其中该层(44)所含的可延展金属为铝。如申请专利范围第1或4项的方法，其中热压法没有下列的方法步骤：摩擦运动、超音波焊接过程。一种具有半导体材料之元件，其具有以申请专利范围第1至9项中任一项的方法制作的连接层(1、21、31、41)。如申请专利范围第10项的元件，其中至少一个连接件在部分区域中具有用于电接触的接触面。如申请专利范围第1或8项的方法，其中该阻挡层(42)是由镍、TiW合金、或TiWN合金制成。如申请专利范围第1或8项的方法，其中在350℃至400℃的温度下进行连接，其中该半导体材料含有GaInN系的薄膜晶片。如申请专利范围第1或8项的方法，其中在350℃至500℃的温度下进行连接，其中该半导体材料含有AlGaInP系的薄膜晶片。如申请专利范围第4项的方法，其中将含有该半导体材料之层序列沉积在生长基板上，并在层序列彼此连接后，将该生长基板从该半导体材料移除。如申请专利范围第1或15项的方法，其中在垂直于该等层序列的方向上，该半导体材料完全被连接层覆盖住。如申请专利范围第1或15项的方法，其中对整片晶圆进行加工。 |
