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一种高密度奈米碳管阵列，包括多个奈米碳管，其改良在于，该高密度奈米碳管阵列中的奈米碳管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度为0.1~2.2克每立方厘米。如申请专利范围第1项所述的高密度奈米碳管阵列，其中，所述的高密度奈米碳管阵列包括单壁高密度奈米碳管阵列、双壁高密度奈米碳管阵列或多壁高密度奈米碳管阵列中的一种。一种高密度奈米碳管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一奈米碳管阵列形成于一基底；沿着平行于基底的方向，施加压力挤压上述奈米碳管阵列，从而得到高密度奈米碳管阵列。如申请专利范围第3项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的奈米碳管阵列的制备包括以下步骤：提供一平整基底；在基底表面形成一催化剂层；将上述形成有催化剂层的基底在空气中退火；将处理过的基底置于低压反应炉中加热，然后通入碳源气体反应，生长得到奈米碳管阵列。如申请专利范围第3项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的施加压力系通过一挤压装置对奈米碳管阵列进行挤压。如申请专利范围第5项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的挤压装置包括一下压板，一上压板，两个第一侧板与两个第二侧板设置于上压板和下压板之间，并在上压板和下压板之间的中心位置形成一空腔。如申请专利范围第6项所述的的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的上压板通过螺丝对称地固定于下压板上，上压板的面积与下压板相等。如申请专利范围第6项所述的的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的两个第一侧板沿第一方向对称地分布于空腔的两侧，两个第二侧板沿第二方向对称地分布于空腔的另外两侧，其中，第一方向与第二方向相互垂直。如申请专利范围第6项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的通过一挤压装置对奈米碳管阵列进行挤压包括以下步骤：用第一侧板沿着第一方向相对移动，对奈米碳管阵列进行挤压；之后，用第二侧板沿着第二方向相对移动，对奈米碳管阵列进行挤压。如申请专利范围第9项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的用第一侧板沿着第一方向相对移动，对奈米碳管阵列进行挤压包括以下步骤：通过两个第二侧板固定奈米碳管阵列；通过两个第一侧板沿第一方向相对移动，对奈米碳管阵列进行挤压。如申请专利范围第9项所述的高密度奈米碳管阵列的制备方法，其中，所述的用第二侧板沿着第二方向相对移动，对奈米碳管阵列进行挤压包括以下步骤：通过两个第一侧板固定奈米碳管阵列；通过两个第二侧板沿第二方向相对移动，对奈米碳管进行挤压。 |
