| 主权项 |
一种制造显示基板的方法，包括：形成一闸极与一共通电极于一基板上；依序形成一第一绝缘层及一半导体层于该闸极上，其中该第一绝缘层亦形成于该共通电极上；形成一源极与一汲极于该半导体层上，并同时形成一电容电极于该共通电极及该第一绝缘层上方；形成一第二绝缘层于该源极、该汲极、该电容电极以及该第一绝缘层上；使用一第一光罩进行微影蚀刻程序，形成一开口于该第二绝缘层上；在形成该开口于该第二绝缘层上后，形成一平坦层于该第二绝缘层上；使用一第二光罩进行微影蚀刻程序，形成一导孔(via)于该平坦层，且该导孔与该开口相通连；使用一第三光罩进行微影蚀刻程序，以形成复数个凸起(bump)于该平坦层之部分上表面。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该开口系位于该汲极上方，用以暴露该汲极。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该开口系位于该电容电极上方，用以暴露该电容电极，且该共通电极系与该汲极电性连接。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该第一光罩与该第二光罩具有一第一透光区与一第二透光区，且该第一透光区形成一第一图案区，用以形成该开口与该导孔，该第三光罩具有该第二透光区与一第三透光区，且该第二透光区与该第三透光区交错而构成一第二图案区，用以形成该些凸起。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该第一透光区之透光率系约为100%，该第二透光区之透光率系约为0%，且该第三透光区之透光率系为10%至30%。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该第三光罩更具有一第四透光区，且该第四透光区与该第二透光区交错而构成一第三图案区，用以形成该蚀刻平面。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该第四透光区之透光率系为3%至15%。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该第三图案区中的该第二透光区系小于该第二图案区中的该第二透光区。如申请专利范围第5项中所述之方法，其中形成该些凸起(bump)之步骤中，系包括同时形成一穿透窗贯穿该平坦层。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该第一透光区更于该第三光罩上形成一第四图案区，用以形成该穿透窗。如申请专利范围第1至10项中之任一项所述之方法，其中形成该些凸起之步骤后，更包括下列步骤：形成一透明导电层于该平坦层表面与该导孔之内壁，并透过该导孔以电性连接该汲极；以及形成一反射电极层于部分该透明导电层上，且位于该些凸起表面上。如申请专利范围第1至10项中之任一项所述之方法，其中形成该些凸起之步骤后，更包括下列步骤：形成一反射电极层于该些凸起表面与该导孔之内壁，并透过该导孔以电性连接该汲极；以及形成一透明导电层于该反射电极层与该平坦层表面。如申请专利范围第1至10项中之任一项所述之方法，其中形成该平坦层之步骤前，更包括形成一透明导电层于该第二绝缘层上并藉由该开口电性连接该汲极。如申请专利范围第13项所述之方法，其中形成该些凸起之步骤后，更包括形成一反射电极层于该些凸起表面、该导孔之内壁与该透明导电层上。 |
