| 主权项 |
一种制造光感测器之方法，该方法至少包含：提供一基板，该基板具有一切换元件区及一电子元件区；形成一闸极于该基板之该切换元件区上；依序形成一闸极介电层、一半导体层及一电性提升层，以覆盖该闸极与该基板；图案化该电性提升层及该半导体层，以于该闸极上方之该闸极介电层上形成一通道区；依序形成一第一导电层、复数层元件作用层及一第二导电层，以覆盖该闸极介电层与该通道区；图案化该第二导电层及该些元件作用层，其中图案化后之该些元件作用层于该电子元件区处之第一导电层上形成一二极体堆叠，而图案化后之该第二导电层于该二极体堆叠上形成一光电极；图案化该第一导体层，以于该通道区上方两侧形成一源/汲极，并露出部份该电性提升层；形成一绝缘层，以覆盖该源/汲极、该二极体堆叠、以及该光电极；图案化该绝缘层，以于该绝缘层中形成一开口，且该开口暴露出该光电极；形成一第三导电层，以覆盖该绝缘层与该光电极；以及图案化该第三导电层，使图案化后之该第三导电层覆盖该源/汲极上方之部份该绝缘层，并且沿该开口与该光电极靠近该源/汲极之一侧相连。如申请专利范围第1项所述之方法，在图案化该第三导电层之步骤后，更包含形成一保护层，覆盖该绝缘层、该第三导电层以及该光电极。如申请专利范围第2项所述之方法，更包含图案化该保护层，使图案化后之该保护层覆盖该第三导电层，并于该二极体堆叠上方形成一照光开口，以露出部份该光电极。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该些元件作用层包含一第一掺杂层、一本质半导体层以及一第二掺杂层。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该第一掺杂层与该第二掺杂层分别为一N型掺杂矽层以及一P型掺杂矽层。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该本质半导体层为一非晶矽层。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该电性提升层为一N型掺杂矽层。如申请专利范围第1项所述之方法，在图案化该第一导体层之该步骤后，形成该绝缘层之步骤前，更包含蚀刻该电性提升层，以露出部份该半导体层。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该绝缘层厚度为至少为0.5μm。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该绝缘层厚度为0.5－1.6 μm。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该绝缘层之材质为氮化矽、氮氧化矽或光阻。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该光阻为树脂型黑色矩阵光阻。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该光阻为酚醛树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。一种光感测器，其具有至少一切换元件区及至少一电子元件区位于一基板之上，该光感测器至少包含：一闸极，设置于该基板之该切换元件区上；一闸极介电层，覆盖该闸极与该基板；一通道区，设置于该闸极上方之该闸极介电层上；一源/汲极，设置于该通道区两端上，并且覆盖该通道区下方两侧之该闸极介电层；一二极体堆叠，设置于该电子元件区处之该源/汲极其中之一上；一光电极，设置于该二极体堆叠上方；一绝缘层，覆盖该源/汲极区、该通道区、该二极体堆叠以及该光电极，且该绝缘层具有一开口以暴露出该二极体堆叠上方之部份该光电极；以及一偏压电极，设置于该源/汲极上方之部份该绝缘层上，并且沿该开口与该光电极靠近该源/汲极之一侧相连。如申请专利范围第14项所述之光感测器，更包含一保护层，该保护层设置于该偏压电极以及该电子元件区处之该绝缘层上，且该保护层具有一照光开口，以露出部份该光电极。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该通道区包含：一半导体层；以及一电性提升层，该电性提升层系设置于该半导体层两端上方。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该电性提升层为一N型掺杂矽层。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该二极体堆叠包含一第一掺杂层、一本质半导体层以及一第二掺杂层。如申请专利范围第18项所述之光感测器，其中该第一掺杂层与该第二掺杂层分别为一N型掺杂矽层以及一P型掺杂矽层。如申请专利范围第18项所述之光感测器，其中该本质半导体层为一非晶矽层。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该绝缘层厚度为至少为0.5μm。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该绝缘层厚度为0.5－1.6 μm。如申请专利范围第14项所述之光感测器，其中该绝缘层之材质为氮化矽、氮氧化矽或光阻。如申请专利范围第23项所述之光感测器，其中该光阻为树脂型黑色矩阵光阻。如申请专利范围第23项所述之光感测器，其中该光阻为酚醛树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。 |
