| 主权项 |
一种横向扩散金氧半电晶体，包括：一基底；一汲极，形成于该基底上；一源极，形成于该基底上，包含复数个各自独立之次源极且分别对应该汲极之不同面；复数个通道区，形成于该基底中，且位于该等次源极与该汲极之间，其中该等通道区未延伸于该等次源极与次源极之间；一闸极，覆盖部分之该等次源极与通道区；以及一漂移层，形成于该基底中，位于该汲极下方。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该汲极系为多边形。如申请专利范围第2项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该汲极系为矩形。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次源极与该汲极之对应面系平行。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该闸极系包围该汲极。如申请专利范围第5项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该闸极之转角处系呈截角状。如申请专利范围第6项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中位于转角处之该闸极系作为一场板(field plate)。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系包围该汲极。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系为N型漂移层。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系为一轻掺杂区。一种横向扩散金氧半电晶体，包括：一基底；一汲极，形成于该基底上，包含复数个各自独立且分离之次汲极；一源极，形成于该基底上，包含复数个各自独立且分离之次源极且分别对应该等次汲极；一闸极，覆盖部分之该等次源极；以及一漂移层，形成于该基底中，位于该等次汲极下方。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次汲极系为多边形。如申请专利范围第12项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次汲极系为矩形。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次源极与该等次汲极之对应面系平行。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次汲极间之距离大体介于0.5~5微米。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该等次源极间之距离大体介于0.5~5微米。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系包围该等次汲极。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系为N型漂移层。如申请专利范围第11项所述之横向扩散金氧半电晶体，其中该漂移层系为一轻掺杂区。 |
