| 主权项 |
一种下述一般式(1)所表示之四胺化合物：@sIMGTIF!d10015.TIF@eIMG!式中，R1、R2及R3表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，n表示3或4。一种下述式(1)所表示之有机EL元件用材料：@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!式中，R1、R2及R3表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，n表示3或4。一种含有下述式(1)所表示的四胺化合物之有机EL元件：@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!式中，R1、R2及R3表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，n表示3或4。如申请专利范围第3项之有机EL元件，其系于基板上依序积层阳极、电洞输送层、发光层、电子输送层以及阴极而构成；或于基板上依序积层阳极、电洞输送层、电子输送层以及阴极而构成，且电洞输送层及电子输送层之任一者具有发光机能。如申请专利范围第4项之有机EL元件，其中，上述电洞输送层含有一般式(1)所表示之四胺化合物与至少1种之其他电洞输送材料。如申请专利范围第4或5项之有机EL元件，其具有于基板上依序积层阳极、电洞输送层、电子输送层及阴极之构成，且上述电子输送层具有发光机能。如申请专利范围第4或5项之有机EL元件，其具有于基板上依序积层阳极、电洞输送层、电子输送层及阴极之构成，且上述电洞输送层具有发光机能。一种四胺化合物之制造方法，系由进行下述一般式(A)所表示之三苯基二胺基联苯化合物、与下述一般式(B)所表示之二卤化合物的缩合反应之步骤所构成之下述一般式(1)所表示之四胺化合物之制造方法：@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG!式中，R1、R2及R3表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基；@sIMGTIF!d10019.TIF@eIMG!式中，X表示卤原子，n表示3或4；@sIMGTIF!d10020.TIF@eIMG!式中，R1、R2及R3表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，n表示3或4。一种四胺化合物之制造方法，系由进行下述一般式(C)所表示之二胺化合物、与下述一般式(D)所表示之卤化合物的缩合反应，并将缩合生成物予以水解后，再进行与下述一般式(E)所表示之卤化合物的缩合反应所构成之下述一般式(2)所表示之四胺化合物之制造方法：@sIMGTIF!d10021.TIF@eIMG!式中，R4表示经取代或未经取代之烷基、或经取代或未经取代之芳基，n表示3或4；@sIMGTIF!d10022.TIF@eIMG!式中，R1表示氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，R5表示经取代或未经取代之烷基、或经取代或未经取代之芳基，X表示卤原子；@sIMGTIF!d10023.TIF@eIMG!式中，R2表示氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，X表示卤原子；@sIMGTIF!d10024.TIF@eIMG!式中，R1及R2表示相同或互异的氢原子、碳数4~8之3级烷基、未经取代之芳基或经碳数4~8之3级烷基取代之芳基，n表示3或4。 |
