| 主权项 |
一种叠对量测结构，其系用以量测层与层间之对位误差，该叠对量测结构包括：一材料层，其系具有一第一光栅结构以及一第二光栅结构，该第一光栅结构与该第二光栅结构相互叠置且具有不同周期，该第二光栅结构与该第一光栅结构间具有一对位间距。如申请专利范围第1项所述之叠对量测结构，其中该第一光栅结构之节距系与该第二光栅结构之节距相同。如申请专利范围第1项所述之叠对量测结构，其中该第一光栅结构之光栅线宽系与该第二光栅结构之光栅线宽相同。一种叠对量测方法，其系包括有下列步骤：(a)分别于一第一材料层以及一第二材料层上形成一对微结构，该对微结构具有一对位间距；(b)量测该对微结构之光学影像所具有之光学强度分布；(c)根据该光学强度分布得到一评价值；(d)改变该第一材料层上之对位间距中心与该第二材料层上之对位间距中心的距离；以及(e)重复步骤(a)至步骤(d)以根据所得之复数个评价值得到一评价关系线。如申请专利范围第4项所述之叠对量测方法，其中该步骤(c)更具有下列步骤：(c1)取得该光学强度分布之梯度值分布；以及(c2)根据该梯度值分布决定出复数个特征点以定义出该评价值。如申请专利范围第5项所述之叠对量测方法，其中该复数个特征点系为该梯度分布之主峰值以及主峰值两侧之谷点。如申请专利范围第4项所述之叠对量测方法，其中该对微结构系为一对光栅微结构。如申请专利范围第7项所述之叠对量测方法，其中该对光栅微结构之周期系可相同或者是不相同。如申请专利范围第7项所述之叠对量测方法，其中该对光栅微结构之光栅线宽系可相同或者是不相同。如申请专利范围第4项所述之叠对量测方法，其中该对微结构系为一对实体微结构。一种叠对量测方法，其系包括有下列步骤：决定一评价关系线；分别于一第一待测材料层以及一第二待测材料层上形成一对微结构，该对微结构具有一对位间距；量测该对微结构之光学影像所具有之光学强度分布；根据该光学强度分布得到一评价值；以及将该评价值对应该评价关系线，以得到该第一待测材料层与该第二待测材料层之堆叠误差。如申请专利范围第11项所述之叠对量测方法，其中决定该评价值更包括有下列步骤：取得该光学强度分布之梯度值分布；以及根据该梯度值分布决定出复数个特征点以定义出该评价值。如申请专利范围第12项所述之叠对量测方法，其中该复数个特征点系为该梯度分布之主峰值以及主峰值两侧之谷点。如申请专利范围第11项所述之叠对量测方法，其中该对微结构系为一对光栅微结构。如申请专利范围第14项所述之叠对量测方法，其中该对光栅微结构之周期系可相同或者是不相同。如申请专利范围第14项所述之叠对量测方法，其中该对光栅微结构之光栅线宽系可相同或者是不相同。如申请专利范围第11项所述之叠对量测方法，其中该对微结构系为一对实体微结构。如申请专利范围第11项所述之叠对量测方法，其中决定该评价关系线更包括有下列步骤：(a)分别于一第一材料层以及一第二材料层上形成一对微结构，该对微结构具有一对位间距；(b)量测该对微结构之光学影像所具有之光学强度分布；(c)根据该光学强度分布得到一评价值；(d)改变该第一材料层上之对位间距中心与该第二材料层上之对位间距中心的距离；(e)重复步骤(a)至步骤(d)以根据所得之复数个评价值得到一评价关系线。如申请专利范围第18项所述之叠对量测方法，其中该步骤(c)更具有下列步骤：(c1)取得该光学强度分布之梯度值分布；以及(c2)根据该梯度值分布决定出复数个特征点以定义出该评价值。 |
