发明名称 半导体工业之二氧化碳纯化
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.21
申请号 TW092128714 申请日期 2003.10.16
申请人 恩特葛瑞斯公司 发明人 丹尼尔 爱娃兹 JR;杰佛烈 J 史拜克门;罗素尔 J 鹤门思
分类号 C01B31/20 主分类号 C01B31/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种从二氧化碳(CO2)流移除污染物的方法,其包括:以一量的由一或多种可再生混合金属氧化物所组成之混合物接触CO2流来减少该流中的污染物含量,其中该可再生混合金属氧化物系选自由:铁(Fe)和氧化锰(MnOx);氧化镍(NiO)和氧化钛(TiOx);氧化钯(PdOx)和氧化铈(CeOx);氧化钒(VOx);以及氧化铁(FexOy)组成之群。如申请专利范围第1项之方法,其中污染物含量被减少到不超过100个十亿分之一(ppb)。如申请专利范围第2项之方法,其中污染物含量被减少到不超过10 ppb。如申请专利范围第3项之方法,其中污染物含量被减少到不超过1 ppb。一种从二氧化碳(CO2)流移除污染物的方法,其包括:以一量的由一或多种可再生混合金属氧化物所组成之混合物接触CO2流来减少该流中的污染物含量至不超过10ppb,其中该一可再生混合金属氧化物包含一具有至少两种不同氧化态之金属之氧化物;二或多种以不同氧化态存在之金属;或二或多种具有不同配位数、不同配位型态、或同时具有不同配位数及配位型态之金属;其中,该一或多种可再生混合金属氧化物为具有至少两种不同氧化态之金属之氧化物,该金属系选自由钒及铁所组成之群;或该一或多种可再生混合金属氧化物系由二或多种以不同氧化态存在之金属所组成,该金属系选自由铁及锰所组成之群;或该一或多种可再生混合金属氧化物系由二或多种具有不同配位数、不同配位型态、或同时具有不同配位数及配位型态之金属所组成,该金属系选自由钛、钯及铈所组成之群。如申请专利范围第5项之方法,其中污染物含量被减少到不超过1 ppb。一种活化与再生可再生混合金属氧化物吸附剂来纯化二氧化碳(CO2)的方法,其包括:加热该可再生混合金属氧化物吸附剂到第一温度来释放被吸附的污染物;暴露该加热之可再生混合金属氧化物吸附剂到氧化剂来氧化该可再生混合金属氧化物吸附剂;冷却该可再生混合金属氧化物吸附剂到第二温度;以及暴露该冷却之可再生混合金属氧化物吸附剂到还原剂来减少该可再生混合金属氧化物吸附剂;其中,该可再生混合金属氧化物系选自由:铁(Fe)和氧化锰(MnOx);氧化镍(NiO)和氧化钛(TiOx);氧化钯(PdOx)和氧化铈(CeOx);氧化钒(VOx);以及氧化铁(FexOy)组成之群。如申请专利范围第7项之方法,其中该第一温度约介于300℃到550℃之间。如申请专利范围第8项之方法,其中该第一温度约为400℃。如申请专利范围第7项之方法,其中该氧化剂包括氧气(O2)。如申请专利范围第7项之方法,其中该第二温度约介于100℃到250℃之间。如申请专利范围第7项之方法,其中该还原剂包括氢气(H2)和惰性气体之混合物气。如申请专利范围第12项之方法,其中该氢气占该混合物约1%到5%的体积。如申请专利范围第12项之方法,其中该惰性气体选自由氮气(N2)和氩气和其组合组成之群。一种连续纯化二氧化碳(CO2)的方法,其包括:藉由申请专利范围第1项之方法在一双床净化器装置的第一床中纯化二氧化碳;在前步骤中纯化二氧化碳的同时,藉由申请专利范围第7项之方法在该双床净化器装置的第二床中再生一可再生混合金属氧化物吸附剂;接着在藉由申请专利范围第7项之方法完成吸附剂再生之后,藉由申请专利范围第1及5项之任一方法在第二床中纯化二氧化碳,同时以申请专利范围第7项之方法在第一床中再生吸附剂;以及重覆上述步骤作为连续纯化。
地址 美国