发明名称 用于光微影技术之组成物与制程
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.21
申请号 TW095136654 申请日期 2006.10.03
申请人 羅門哈斯電子材料有限公司 美國 发明人 王大洋 美国;徐承柏
分类号 G03F7/004;G03F7/039;G03F7/09;H01L21/027 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种经涂覆之基材,包括:在基材上之光阻组成物层;在该光阻层之上的有机组成物,包含(i)树脂成分及/或(ii)一种或多种酸发生剂化合物,其中该树脂成分包括由下式II之结构所组成的树脂:@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!a、b和c标示各个重复单元的莫耳百分比,且a、b和c之每一者皆大于0。如申请专利范围第1项之基材,其中该酸发生剂化合物为光酸发生剂化合物。一种加工光阻组成物之方法,包括:(a)在基材上涂布光阻组成物;(b)在该光阻组成物之上涂布有机组成物,其包括:(i)树脂成分及/或(ii)酸发生剂化合物;(c)暴露该光阻层至使该光阻组成物活化之辐射,其中该树脂成分包括由下式II之结构所组成的树脂:@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!a、b和c标示各个重复单元的莫耳百分比,且a、b和c之每一者皆大于0。如申请专利范围第3项之方法,其中该光阻是经湿浸式曝光,且该基材是微电子晶圆基材。如申请专利范围第3项之方法,其中该光阻是暴露至具波长为193nm的辐射。一种与底层之光阻组成物层合用的涂覆组成物,该涂覆组成物包括:(a)一种或多种酸发生剂化合物;(b)树脂成分,其包括由下式II之结构所组成的树脂:@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!a、b和c标示各个重复单元的莫耳百分比,且a、b和c之每一者皆大于0。
地址 美国