发明名称 银导电膜及其制造法
摘要
申请公布号 TWI347614 申请公布日期 2011.08.21
申请号 TW096100776 申请日期 2007.01.09
申请人 同和电子科技有限公司 发明人 佐藤王高;久枝穰;冈野卓;尾木孝造
分类号 H01B5/00;H01B1/22;H01B13/00 主分类号 H01B5/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种银导电膜,系形成于基板上的银薄膜,该薄膜系由银粒子烧结而成者,具有由膜的剖面观察的空孔密度为3个/μm2以下,且表面粗度Ra为10至100nm的纹样构造;并且,在表面以下的深度为5nm以上的层内部并未检出含有碳。如申请专利范围第1项之银导电膜,其系在使用透明黏贴胶带之剥离试验下,具有1mm见方的方格的残存率超过90%的密着性。如申请专利范围第1项之银导电膜,系烧结后受到机械性压缩应力而致密化者。如申请专利范围第1至3项中任一项之银导电膜,其中,该银导电膜的电阻率为5μΩ.cm以下。如申请专利范围第1至3项中任一项之银导电膜,其中,在表面以下的深度为5nm以上的层内部藉由ESCA(化学分析用电子能谱仪)检测不出284.3eV以及284.5eV的碳能量峰值。如申请专利范围第1至3项中任一项之银导电膜,其中,其平均膜厚为50至2000nm。如申请专利范围第1至3项中任一项之银导电膜,其中,前述银粒子系在乙醇中或是聚醇中,在以乙醇或聚醇作为还原剂,一分子中具有1个以上的不饱和键的有机化合物的存在下,藉由还原处理银化合物而析出之平均粒径DTEM为100nm以下的银粒子。一种如申请专利范围第1至7项中任一项之银导电膜的制造法,系具备有:在沸点为80至200℃的乙醇或是沸点为150至300℃的聚醇中,以该乙醇或是聚醇做为还原剂,在1分子中具有1个以上之不饱和键的有机化合物的存在下,于80至200℃的温度范围中,藉由还原处理银化合物,以析出银粒子的步骤;藉由回收该银粒子并混合于沸点为60至300℃的非极性或极性小的液状有机媒体做成浆料,将该浆料进行固液分离,以回收平均粒径DTEM在100nm以下的银粒子呈分散的银粒子分散液的步骤;将使用该分散液的银涂料涂布于基板上而形成涂膜的步骤;将前述涂膜烧成以形成烧成膜的步骤;以及对前述烧成膜进行压缩成形的步骤。如申请专利范围第8项之银导电膜的制造法,其中,前述有机化合物为胺化合物。如申请专利范围第8或9项之银导电膜的制造法,其中,系在超过100℃以上未达300℃的温度范围中烧成。如申请专利范围第8或9项之银导电膜的制造法,其中,前述压缩成形系赋予烧成膜表面5至200 N/cm2的压力。
地址 日本
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