| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING THIN SILICON LAYERS, THIN SILICON AND USE THEREOF |
| 摘要 |
FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: silicon layer is extruded. The silicon layer can be extruded onto a carrier layer or the silicon layer and the carrier layer are extruded together from an extruder bore. ^ EFFECT: method enables to obtain thin silicon layers in a single step. ^ 40 cl, 3 dwg, 3 ex |
| 申请公布号 |
RU2426756(C2) |
申请公布日期 |
2011.08.20 |
| 申请号 |
RU20050136810 |
申请日期 |
2005.11.25 |
| 申请人 |
KHUTAMAKI FORKHKHAJM TSVAJGNIDERLASSUNG DER KHUTAMAKI DOJCHLAND GMBKH UND KO.KG |
发明人 |
MJULLER JOZEF;GJUNTER VAL'TER;BAUEHR MIKHEL';SHTARK KURT |
| 分类号 |
B29C47/02;B32B25/04;B32B25/20;B32B27/00;C08J5/18;C08L83/04;C09D1/00 |
主分类号 |
B29C47/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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