TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SENSIBLE AUX GAZ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

摘要

Transistor à effet de champ sensible aux gaz (100) ayant un substrat semi-conducteur (138) avec une couche d'isolation (110) couvrant en partie la surface principale du substrat et ayant dans la région de porte (140), une ouverture (135) à parois inclinées (137). Le transistor (100) a une couche d'électrode de porte (155) qui couvre au moins une partie de la première surface principale de la couche (110), les parois inclinées (137) de l'ouverture (135) ainsi qu'une zone de la région de porte (140). La couche (155) modifie ses propriétés électriques au contact d'un gaz prédéfini.