| 摘要 |
Verfahren zur Einstellung eines Serienwiderstandes am Gate eines Leistungstransistors (1''), der aufweist: – ein Leadframe (2) und – einen auf dem Leadframe (2) angeordneten Halbleiterchip (3), auf dessen Oberseite eine Drainkontaktierungsschicht (13) und auf dessen Unterseite eine Sourcekontaktierungsschicht (9) vorgesehen sind, wobei– die Sourcekontaktierungsschicht (9) direkt auf dem Leadframe (2) aufliegt,– auf der Oberseite des Halbleiterchips (3) eine Gatekontaktierungsschicht (10) vorgesehen ist, die über in wenigstens einen Kontaktierungstrench (38) eingebrachtes leitfähiges Material (41) mit im unteren Bereich des Halbleiterchips (3) in Zellenfeldtrenches (32) vorgesehenen Gateelektroden (33) elektrisch verbunden ist, – der wenigstens eine Kontaktierungstrench (38) wesentlich tiefer als die Zellenfeldtrenches (32) ist und – das leitfähige Material durch Einstellung seiner Schichtdicke oder durch Einstellung der Anzahl der Kontaktierungstrenches auf den Serienwiderstand eingestellt wird. |
