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发明名称 REDUCED TOPOGRAPHY-RELATED IRREGULARITIES DURING THE PATTERNING OF TWO DIFFERENT STRESS-INDUCING LAYERS IN THE CONTACT LEVEL OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20110093907(A) 申请公布日期 2011.08.18
申请号 KR20117014420 申请日期 2009.11.25
申请人 GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 RICHTER RALF
分类号 H01L21/8238 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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