Verfahren zur Herstellung eines rückwärts sperrenden Bipolartransistors mit isoliertem Gate

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines rückwärts sperrenden Bipolartransistors mit isoliertem Gate bereitgestellt, das bei Herstellung eines rückwärts sperrenden IGBT mit einer Trennschicht, die entlang konisch zulaufender Oberflächen einer V-förmigen Nut ausgebildet ist, die unter Anwendung von anisotropem Ätzen gebildet ist, einen hoch zuverlässigen inversen Druckwiderstand sicherstellen und einen Reststrom beim Sperr-Vorspannen unterdrücken kann. Beim Bestrahlen mit einer Blitzlampe für ein Blitzlampenglühen nach einer Implantation von Ionen in eine zweite Konduktivitätstyp-Trennschicht und eine zweite Konduktivitätstyp-Kollektorschicht zur Ausbildung der zweiten Konduktivitätstyp-Kollektorschicht und der zweiten Konduktivitätstyp-Trennschicht wird der stärkste Anteil der Strahlungsenergie auf eine Tiefenposition vom oberen Abschnitt zum mittleren Abschnitt einer konisch zulaufenden Seitenkantenfläche fokussiert.