发明名称 Verfahren zur Verringerung der durch Polieren hervorgerufenen Schäden in einer Kontaktstruktur durch Bilden einer Deckschicht
摘要 Verfahren mit: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht über einem Schaltungselement, das ein Kontaktgebiet aufweist; Einebnen der ersten dielektrischen Schicht durch Ausführen eines chemisch mechanischen Polierprozesses; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf der ersten dielektrischen Schicht; Bilden eines Kontaktpfropfens zumindest in der ersten dielektrischen Schicht, wobei der Kontaktpfropfen eine Verbindung zu dem Kontaktgebiet herstellt; und Entfernen der zweiten dielektrischen Schicht mittels eines chemisch mechanischen Polierprozesses.
申请公布号 DE102006015096(B4) 申请公布日期 2011.08.18
申请号 DE200610015096 申请日期 2006.03.31
申请人 GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 FROHBERG, KAI;BAU, SANDRA;GROSCHOPF, JOHANNES
分类号 H01L21/283;H01L21/302 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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