发明名称 |
Verfahren zur Verringerung der durch Polieren hervorgerufenen Schäden in einer Kontaktstruktur durch Bilden einer Deckschicht |
摘要 |
Verfahren mit: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht über einem Schaltungselement, das ein Kontaktgebiet aufweist; Einebnen der ersten dielektrischen Schicht durch Ausführen eines chemisch mechanischen Polierprozesses; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf der ersten dielektrischen Schicht; Bilden eines Kontaktpfropfens zumindest in der ersten dielektrischen Schicht, wobei der Kontaktpfropfen eine Verbindung zu dem Kontaktgebiet herstellt; und Entfernen der zweiten dielektrischen Schicht mittels eines chemisch mechanischen Polierprozesses.
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申请公布号 |
DE102006015096(B4) |
申请公布日期 |
2011.08.18 |
申请号 |
DE200610015096 |
申请日期 |
2006.03.31 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
FROHBERG, KAI;BAU, SANDRA;GROSCHOPF, JOHANNES |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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