| 发明名称 | 双面透明导电膜图形激光制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种双面透明导电膜图形激光制作工艺，其特征在于：①预设双面透明导电膜的上层导电膜激光蚀刻图形和下层导电膜激光蚀刻图形；②将要蚀刻的双面透明导电膜放置在激光蚀刻设备的工作平台上；③调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于下层导电膜的上表面；④蚀刻下层导电膜激光蚀刻图形；⑤调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于上层导电膜的上表面；⑥蚀刻上层导电膜激光蚀刻图形。本发明的双面透明导电膜图形激光制作工艺，能提高双面透明导电膜图形激光制作的成品率，生产率高。 | ||
| 申请公布号 | CN102152000A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110041511.4 | 申请日期 | 2011.02.21 |
| 申请人 | 武汉吉事达激光技术有限公司 | 发明人 | 陈刚 |
| 分类号 | B23K26/36(2006.01)I;B23K26/04(2006.01)I | 主分类号 | B23K26/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人 | 朱必武;曾祥斌 |
| 主权项 | 透明导电膜图形激光制作工艺，其特征在于：①、预设双面透明导电膜的上层导电膜激光蚀刻图形和下层导电膜激光蚀刻图形；②、将要蚀刻的双面透明导电膜放置在激光蚀刻设备的工作平台上；③、调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于下层导电膜的上表面；④、蚀刻下层导电膜激光蚀刻图形；⑤、调整激光聚焦镜与双面透明导电膜之间距离，使激光聚焦点位于上层导电膜的上表面；⑥、蚀刻上层导电膜激光蚀刻图形。 | ||
| 地址 | 430071 湖北省武汉市东湖开发区关东科技园（创业中心）7-5号 | ||