半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以使用简单工艺制造而无需确保高掩埋性质。在根据本发明的半导体器件的制造方法中，首先制备具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置的半导体衬底。然后，在半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件。形成在平面图中包围元件并且从半导体层的主表面到达埋置绝缘膜的沟槽。在元件之上以及在沟槽中形成第一绝缘膜(层间绝缘膜)，以相应地覆盖元件并在沟槽中形成气隙。然后，在第一绝缘膜中形成到达元件的导电部分的接触孔。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备半导体衬底，所述半导体衬底具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置；在所述半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件；形成在平面图中包围所述元件的沟槽，使得所述沟槽从所述半导体层的主表面到达所述埋置绝缘膜；在所述元件之上以及在所述沟槽中形成第一绝缘膜，以相应地覆盖所述元件并在所述沟槽中形成气隙；以及在所述第一绝缘膜中形成到达所述元件的导电部分的孔。