| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成钛衬垫；在所述钛衬垫表面形成第一氮化钛层；分多步在所述第一氮化钛层的表面形成金属层；在所述金属层的表面形成第二氮化钛层。本发明的制备方法有利于降低金属-绝缘体-金属半导体器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102157356A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110061764.8 | 申请日期 | 2011.03.15 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 赵波;刘玮荪 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种金属‑绝缘体‑金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成钛衬垫；在所述钛衬垫表面形成第一氮化钛层；分多步在所述第一氮化钛层的表面形成金属层；在所述金属层的表面形成第二氮化钛层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||