使用自对准相变材料层的相变存储器元件及其制造和使用方法

摘要

本发明提供一种相变存储器元件及其形成方法。所述存储器元件包含支撑第一电极的衬底。绝缘材料元件位于所述第一电极上，且相变材料层形成于所述第一电极上，并且围绕所述绝缘材料元件，使得所述相变材料层具有与所述第一电极电连通的下表面。所述存储器元件还具有第二电极，其与所述相变材料层的上表面电连通。

主权项

一种存储器元件，其包括：衬底，其支撑第一电极，及第一介电层，所述第一电极的最上表面与所述第一介电层的最上表面基本上在同一平面；第二介电层，其在所述第一介电层上，且具有到达所述第一电极的通孔；相变材料元件，其位于所述第一电极的所述最上表面，所述相变材料具有与所述第一电极电连通的下表面；第二电极，其与所述相变材料元件的上表面电连通；以及绝缘材料，其基本上填充所述相变材料元件的所有内部空间，所述绝缘材料与所述第一及第二电极相接触，所述相变材料元件的上表面与所述绝缘材料的最上表面基本上在同一平面。