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发明名称 Epitaxial silicon germanium for reduced contact resistance in field-effect transistors
摘要
申请公布号 GB2448258(B) 申请公布日期 2011.08.17
申请号 GB20080012725 申请日期 2007.03.29
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 LUCIAN SHIFREN;JACK KAVALIEROS;STEVEN M CEA;CORY E WEBER;JUSTIN BRASK
分类号 H01L21/8238;H01L21/336 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
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