| 发明名称 | 一种方形硅纳米孔洞及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种方形硅纳米孔洞的制备方法，其中，采用金属催化腐蚀与硅的湿法刻蚀技术相结合的方法，制备出方形硅纳米孔洞结构；其制备的步骤为：（1）在硅片表面沉积5-200nm的金属膜；（2）将沉积有金属膜的硅片进行热处理，获得具有特定形貌的金属纳米颗粒；（3）对退火后的硅片进行腐蚀，形成方形硅纳米孔洞。这种方法不需要掩膜技术，同时兼有湿法腐蚀的成本低廉、操作简便和用时短及干法腐蚀的腐蚀均匀性和重复性好的优点。这种方形硅纳米孔洞结构在太阳能电池、集成电路等具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102157621A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110051278.8 | 申请日期 | 2011.03.03 |
| 申请人 | 郑州大学 | 发明人 | 张迎九;蔡永梅;王晓霞;汪素兰;要峰 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人 | 徐皂兰 |
| 主权项 | 一种方形硅纳米孔洞的制备方法，其特征在于：采用金属催化腐蚀与硅的湿法刻蚀技术相结合的方法，制备出方形硅纳米孔洞结构；其制备的步骤为：（1）在单晶硅片表面沉积5‑200nm的金属膜；（2）将沉积有金属膜的硅片进行热处理，获得具有特定形貌的金属纳米颗粒；（3）对退火后的硅片进行腐蚀，形成方形硅纳米孔洞。 | ||
| 地址 | 450001 河南省郑州市科学大道100号物理工程学院材料物理实验室 | ||