半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法。由于在有源区域图案的角处生成圆形，配置在有源图案上的栅极图案面积发生变化，由此产生晶体管特性变化的问题。本发明中的、在同一层中包含形成外角的拐角部并邻接的2边图案和密集配置的周期性图案的半导体器件的制造方法，包括下述工序：(a)用具有第1掩模图案的第1掩模，对对应于包含分割上述2边图案的第1边的第1分割图案和间隔上述周期性图案的第1间隔图案的区域进行曝光；(b)用具有第2掩模图案的第2掩模，对对应于包含分割上述2边图案的第2边的第2分割图案和间隔上述周期性图案的第2间隔图案的区域进行曝光。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于：上述半导体器件在同一层中包含：邻接间隔为第一间隔的非密集配置的孤立图案，和邻接间隔比上述第一间隔狭小的密集配置的周期性图案；上述孤立图案包含形成小于180度的外角的拐角部并邻接的第1、第2边；该半导体器件的制造方法包括下述工序：(a)通过使用具有第1掩模图案的第1掩模，对对应于包含分割上述孤立图案的上述第1边的第1分割图案和间隔上述周期性图案的第1间隔图案的区域进行曝光；(b)通过使用具有第2掩模图案的第2掩模，对对应于包含分割上述孤立图案的上述第2边的第2分割图案和间隔上述周期性图案的第2间隔图案的区域进行曝光，上述第1掩模图案和上述第2掩模图案在分割区域附近具有重叠的规定区域，上述孤立图案是有源区域图案，上述有源区域图案的一部分是利用上述第1掩模来形成，上述有源区域图案的另一部分是利用上述第2掩模来形成，在上述分割区域附近重叠的上述规定区域是在利用上述第1掩模和第2掩模共同地进行曝光时被掩模。