发明名称 |
用于制造传感器的方法 |
摘要 |
公开一种用于制造传感器的方法,在一个实施例中,所述方法将蚀刻的半导体衬底晶片(130)接合到包括绝缘体上双硅晶片的蚀刻的装置晶片(142),从而创建悬挂结构,悬挂结构的挠曲由嵌入的压阻传感器元件(150)来感测。在一个实施例中,传感器测量加速度。在其它实施例中,传感器测量压力。 |
申请公布号 |
CN102157679A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201010624375.7 |
申请日期 |
2010.12.28 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
N·V·曼特拉瓦迪;S·K·加米奇 |
分类号 |
H01L41/22(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L41/22(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
柯广华;王忠忠 |
主权项 |
一种用于制造传感器的方法,包括下列步骤:在半导体衬底晶片(130)中形成衬底凹槽(132,134);在半导体装置晶片(142)中形成装置凹槽(119),其中所述装置晶片(142)包括第一装置层(144)、第二装置层(146)、第一氧化层(145)和第二氧化层(147),其中所述第一氧化层(145)位于所述第一装置层(144)之下,所述第二装置层(146)位于所述第一氧化层(145)之下,并且所述第二氧化层(147)位于所述第二装置层(146)之下,以及其中所述装置凹槽(124)贯穿所述第一装置层(144)以暴露所述第一氧化层(145);将所述第一装置层(144)固定到所述衬底晶片(130),其中所述装置凹槽(119)在所述衬底凹槽(132,134)之上对齐;以及在所述第二装置层(146)中植入至少一个压阻传感器元件(150),以便感测所述第二装置层(146)中的挠曲。 |
地址 |
美国纽约州 |