发明名称 制造显示基底的方法
摘要 本发明公开了一种显示基底的制造方法。该方法包括:在基体基底上顺序地形成沟道层和源极金属层;形成包括第一厚度部分和第二厚度部分的第一光致抗蚀剂图案,第一厚度部分形成在源极金属层的接触区域中,第二厚度部分形成在源极金属层的端部区域中,所述端部区域连接到接触区域,第二厚度部分比第一厚度部分薄;利用第一光致抗蚀剂图案将源极金属层和沟道层图案化,以形成接触电极和突出,接触电极在接触区域上,所述突出突出超过接触电极并从接触区域延伸到所述端部区域;在基体基底上形成钝化层;形成透明电极层,透明电极层与接触电极的被暴露的部分接触,通过去除钝化层的与接触电极和所述突出对应的部分来暴露接触电极的所述被暴露的部分。
申请公布号 CN102157451A 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN201110029299.X 申请日期 2008.02.13
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑斗喜;文镜洙;朴廷敏;金周汉;尹珠爱
分类号 H01L21/84(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 郭鸿禧;刘奕晴
主权项 一种制造显示基底的方法,包括以下步骤:在基体基底上顺序地形成沟道层和源极金属层;形成包括第一厚度部分和第二厚度部分的第一光致抗蚀剂图案,第一厚度部分形成在源极金属层的接触区域中,第二厚度部分形成在源极金属层的端部区域中,所述端部区域连接到接触区域,第二厚度部分比第一厚度部分薄;利用第一光致抗蚀剂图案将源极金属层和沟道层图案化,以形成接触电极和突出,接触电极在接触区域上,所述突出突出超过接触电极并从接触区域延伸到所述端部区域;在基体基底上形成钝化层;形成透明电极层,透明电极层与接触电极的被暴露的部分接触,其中,通过去除钝化层的与接触电极和所述突出对应的部分来暴露接触电极的所述被暴露的部分。
地址 韩国京畿道水原市