| 发明名称 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 | ||
| 摘要 | 本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘(衬底支撑台20、20a)上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片的热传导。对支撑台(20、20a)中的多个气体端口(26、26a)进行分组，并且通过不同的阀(32)分别控制流入或流出各组的气体，阀对应于控制器(35)，控制器控制每个区域的气体压强以空间的并且优选动态的控制晶片温度，以补偿系统和处理的非均匀性。通过分别动态控制阀(32)，通过在不同的气体端口(26、26a)处分别控制背部气体压强来改变晶片变形，以控制施加到衬底背部的局部力，阀改变流向气体端口(26、26a)和环绕气体端口(26、26a)的气体端口(26、26a)的气流。 | ||
| 申请公布号 | CN101681870B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200880015806.0 | 申请日期 | 2008.03.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 拉达·桑达拉拉珍;陈立;麦里特·法克 |
| 分类号 | H01L21/687(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵飞;南霆 |
| 主权项 | 一种控制衬底表面的处理均匀性的方法，包括：在处理用真空室中的衬底支撑件上支撑衬底；通过所述衬底支撑件中多个气体端口向所述衬底支撑件和所述衬底之间的空间提供背部气体；在所述气体端口中不同的气体端口处分别控制背部气体压强，以在各个所述气体端口的周围区域中分别控制处理过程中背部气体沿着所述衬底的压强的变化或均匀性；其中所述衬底支撑件的每个所述区域具有至少两个所述气体端口，所述气体端口包括至少一个连接到背部气体供应的背部气体进气端口、和至少一个连接到真空排气系统的排气端口，并且其中所述方法还包括：分别动态控制至少一个阀，所述阀改变流向或流出每一个所述区域中的端口的气流，以改变处理过程中沿着衬底的温度分布。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||