发明名称 蚀刻设备和使用蚀刻设备的蚀刻方法
摘要 本发明揭示一种蚀刻设备,所述蚀刻设备包含:腔室;衬底支撑件,其在所述腔室中;衬底屏蔽单元,其在所述衬底支撑件上方,其中所述衬底屏蔽单元的直径小于或等于衬底;气体注射构件,其将气体注射到所述衬底的周界上;电源单元,其将RF(射频)功率提供到所述腔室中;以及多个传感器,其感测所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的间隔。
申请公布号 CN101140859B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN200710153803.0 申请日期 2007.09.10
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 全大植;李政范;车城昊;罗圣闵;宋明坤;金德镐;林庆辰
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 孟锐
主权项 一种蚀刻设备,其包括:腔室;衬底支撑件,其在所述腔室中;衬底屏蔽单元,其在所述衬底支撑件上方,其中所述衬底屏蔽单元的直径小于或等于衬底;气体注射构件,其将气体注射到所述衬底的周界上;电源单元,其将RF(射频)功率提供到所述腔室中;以及多个传感器,其感测所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的间隔。其中所述多个传感器包含激光光学传感器与涡流传感器中的一者,且所述多个传感器设置在所述衬底支撑件中或在所述衬底屏蔽单元中。
地址 韩国京畿道