| 发明名称 | 包括硅化物纵梁移除工艺的半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体制造方法，包括形成覆盖栅介电层(114)的栅电极(112)，其中栅介电层(114)覆盖晶片(101)的半导体衬底(104)，还包括形成衬垫介电层(116)，其具有邻接栅电极侧壁的垂直部分(118)和覆盖半导体衬底(104)上表面的水平部分(117)。形成与衬垫介电层(116)的垂直部分(118)邻接并覆盖衬垫介电层(116)的水平部分(117)的间隙壁(108)。形成间隙壁(108)之后，移除衬垫介电层(116)的暴露部分，以形成由延伸间隙壁(108)覆盖的衬垫介电结构(126)。之后回蚀延伸间隙壁(108)以暴露或者显现衬垫介电结构(126)的末端。在回蚀间隙壁(108)之前，可以在晶片(101)溅射淀积金属(130)，准备形成硅化物(134)。回蚀之后可将晶片(101)浸入食人鱼溶液中，和用氩的RF溅射(140)进行清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN101553905B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200680033747.0 | 申请日期 | 2006.08.29 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 达尔迈什·贾瓦拉尼;约翰·R·阿尔维斯;迈克尔·G·哈里森;莱奥·马修;约翰·E·摩尔;罗德·R·莫拉 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，包括：形成覆盖栅介电层的栅电极，其中栅介电层覆盖晶片衬底；形成衬垫介电层，其包括邻接栅电极侧壁的垂直部分和覆盖半导体衬底上表面的水平部分；形成延伸间隙壁，其邻接衬垫介电层的垂直部分，并且覆盖衬垫介电层的水平部分；在所述延伸间隙壁形成之后，移除衬垫介电层的暴露部分，以形成由延伸间隙壁覆盖的衬垫介电结构，并暴露衬底的一部分；回蚀延伸间隙壁，从而显现该衬垫介电结构的末端；在所述回蚀之后，移除衬垫介电结构的暴露末端的至少一部分；以及在衬底的暴露部分上形成硅化物。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||