| 发明名称 | 隔离的单片电转换器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种隔离单片电转换器，包括：在由电阻材料(4)制成的衬底上，在其下表面上包括两个彼此隔开的形成主线圈的输入电极(2，3)；构成主线圈的绝缘层(5)，位于衬底的上表面，在绝缘层(5)上，至少两个分别电串联连接的P和N掺杂的热电半导体元件(7，9)，串联连接的末端形成转换器的次线圈。 | ||
| 申请公布号 | CN101681919B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200880011139.9 | 申请日期 | 2008.04.01 |
| 申请人 | 意法半导体有限公司 | 发明人 | 吉恩-鲁克·莫兰德 |
| 分类号 | H01L27/16(2006.01)I;H04M1/02(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I;H01L35/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 韩龙;阎娬斌 |
| 主权项 | 隔离的单片电转换器，在由电阻材料(4)制成的衬底下表面上包括两个彼此隔开的形成主线圈的输入电极(2，3)，在所述衬底的上表面上包括：绝缘层(5)，和在绝缘层(5)的上表面上的至少两个分别电串联连接的P和N掺杂的热电半导体元件(7，9)，串联连接的末端形成转换器的次线圈，所述绝缘层适合在导热的同时使热电半导体元件电绝缘于衬底。 | ||
| 地址 | 法国蒙鲁日 | ||