浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：在衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成停止层；在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形；以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处理，形成沟槽开口；至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次减少；对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽；对所述沟槽进行填充；进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。采用本发明的浅沟槽隔离结构形成方法，可以确保位于介质层与硅衬底交界处的沟槽顶部的侧壁保持平滑，有效改善了器件的漏电流等电性能。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成停止层；在所述停止层上形成浅沟槽隔离结构图形；以所述浅沟槽隔离结构图形为掩膜对所述停止层和所述垫氧化层进行预刻蚀处理，形成沟槽开口；至少分两步对所述沟槽开口进行圆弧化处理，且各步所用气体产生的聚合物依次减少；对已进行所述圆弧化处理后的所述沟槽开口进行主刻蚀，形成沟槽；对所述沟槽进行填充；进行平坦化处理，形成浅沟槽隔离结构。