发明名称 高分散性纳米级聚(3,4-乙撑二氧噻吩)及其制备与应用
摘要 本发明涉及一种高分散性纳米级PEDOT[聚(3,4-乙撑二氧噻吩)],该聚合物所包含颗粒的平均直径为50~500nm,并且其分散度参数Di为0.1~10nm/d。此外,本发明还涉及一种制备所述纳米聚合物的方法,该方法利用含氟有机酸和/或其盐类表面活性剂作为掺杂剂,通过自组装化学氧化聚合法获得纳米级PEDOT。该方法成功地解决了PEDOT纳米材料的团聚问题,且操作过程简单,成本低廉,易于工业化实施。最后,本发明还涉及本发明的纳米级PEDOT在生产电子器件的电极材料、电致发光或电致变色材料、防静电材料、电磁屏蔽材料、吸波材料、防腐蚀材料、导电纤维方面的应用。
申请公布号 CN101407575B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN200810182456.9 申请日期 2008.12.08
申请人 北京服装学院 发明人 李昕;李小宁;赵国樑;孙强;金俊平
分类号 C08G61/12(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;C09K9/02(2006.01)I;H01B1/12(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I;D01F6/76(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 刘金辉
主权项 1.一种制备纳米级聚(3,4-乙撑二氧噻吩)的方法,所述聚合物包含聚(3,4-乙撑二氧噻吩)颗粒,该颗粒的平均直径在50~500nm范围内,并且其分散度参数Di在0.1~10nm/d的范围内,而Di具有如下定义:<img file="FSB00000394003900011.GIF" wi="395" he="60" />其中:<img file="FSB00000394003900012.GIF" wi="67" he="46" />为纳米级聚合物放置一定时间后其包含的颗粒的平均粒径,<img file="FSB00000394003900013.GIF" wi="66" he="53" />为新合成的纳米级聚合物所包含的颗粒的平均粒径,和ΔT为纳米级聚合物放置的时间,其包括使EDOT单体、氧化剂和掺杂剂在-30℃~+30℃的温度下聚合,其中所述氧化剂为钾、钠、铵的过硫酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐,过氧化物、硫酸铁或三氯化铁,或者是这些氧化剂中的两种或更多种的任意组合,以及所述掺杂剂为含氟有机酸和/或其盐类表面活性剂,该作为掺杂剂的含氟有机酸是三氟乙酸、全氟辛二酸、全氟-2,5-二甲基-3,6-二氧杂壬酸、全氟丁烷磺酸、全氟辛烷磺酸或全氟壬烯氧基苯磺酸,或者是这些有机酸中的两种或更多种的任意组合,所述含氟有机酸的盐是前述各有机酸的钠盐、钾盐和/或铵盐。
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