| 发明名称 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清洗废弃硅材料小方片的方法，包括以下步骤：a)将废弃硅材料小方片浸泡在王水中40h～50h；b)浸泡结束后，用水将小方片冲洗干净；c)使用氢氧化钠溶液对冲洗干净的小方片进行碱洗；d)将碱洗后的小方片用水洗净；e)将洗净的小方片放入稀酸中浸泡，中和碱残留；f)取出小方片，用高纯水清洗，至小方片表面pH为7；g)将小方片脱水烘干。本发明提供的清洗方法能够有效地清洗小方片表面的薄膜和杂质，小方片的损耗率在5％以内，提高了小方片的质量，使作为半导体报废材料的小方片变废为宝能够运用到光伏行业，降低了硅材料供应对下游企业的压力。 | ||
| 申请公布号 | CN102151668A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010559210.6 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 发明人 | 钱利峰;王永甫;鲁学伟 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 魏晓波;逯长明 |
| 主权项 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将废弃硅材料小方片浸泡在王水中40h～50h；b)浸泡结束后，用水将小方片冲洗干净；c)使用氢氧化钠溶液对冲洗干净的小方片进行碱洗；d)将碱洗后的小方片用水洗净；e)将洗净的小方片放入稀酸中浸泡，中和碱残留；f)取出小方片，用高纯水清洗，至小方片表面pH为7；g)将小方片脱水烘干。 | ||
| 地址 | 314400 浙江省海宁皮革工业园区皮都路9号 | ||