| 发明名称 | 基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。本发明基于氧化分凝技术制备出适合应用在高速电路中的埋沟结构硅基围栅晶体管，避免了围栅器件多晶向带来的迁移率下降和严重的随机电报噪声现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102157556A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110029601.1 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 邹积彬;黄如;王润声;杨庚雨;艾玉洁;樊捷闻 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种埋沟结构硅基围栅晶体管，包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其特征在于，所述沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道区上层和沟道区下层掺杂有类型相反的杂质，沟道区上层外覆盖一层栅介质区，栅区位于栅介质的外层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||