发明名称 一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器
摘要 一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器,包括下电极、上电极、绝缘介质和碳纳米管,绝缘介质位于下电极和上电极之间并形成限制结构,在限制结构内生长碳纳米管,碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管,绝缘薄膜的材料为二氧化硅。本发明的优点是:用碳纳米管代替通常的硫化物质作为固态电解液材料,把金属离子和金属束缚在碳纳米管内,使导电通道的导电和断开在固有的碳纳米管内部发生,抑制了金属和金属离子的扩散,可有效地提高阻变存储器的可控性和高温条件下对数据的长久保持能力。同时由于用碳纳米管替代了有污染性的硫化物质,具有与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点,有利于推广和应用。
申请公布号 CN102157684A 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN201010593266.3 申请日期 2010.12.17
申请人 天津理工大学 发明人 赵金石;张楷亮
分类号 H01L45/00(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种利用碳纳米管作为固态电解液的阻变存储器,其特征在于:包括下电极、上电极、绝缘介质和碳纳米管,绝缘介质位于下电极和上电极之间并形成限制结构(confined structure),在限制结构内生长碳纳米管;所述下电极和上电极的材料为在电场作用下性质稳定的金属、导电化合物或在电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,但上电极和下电极不能同时使用性质相同的所述电极材料;所述碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳米管;所述绝缘薄膜的材料为二氧化硅。
地址 300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区