发明名称 |
用于在硅光子芯片与光纤之间有效耦合的方法和设备 |
摘要 |
描述了一种在硅光子芯片与光纤之间有效耦合的方法和设备。在一个实施例中,根据本发明的实施例的设备包括:第一光波导,具有光耦合至第一外部器件的第一端,并具有第二端,第二端具有在所述第二端带尖端的锥形;第二光波导,光耦合至所述第一光波导的所述锥形,并具有在第二端带尖端的锥形;以及第三光波导,光耦合至所述第二光波导的所述锥形,所述第三光波导光耦合至第二外部器件,所述第二外部器件的横截面面积比所述第一外部器件的横截面面积大。 |
申请公布号 |
CN102159975A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN200980136198.3 |
申请日期 |
2009.09.11 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
A·刘 |
分类号 |
G02B6/12(2006.01)I;G02B6/38(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/12(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;蹇炜 |
主权项 |
一种用于光通信的耦合器,包括:由第一半导体材料和第一半导体层构成的第一光波导,所述第一光波导具有光耦合至第一外部器件的第一端并具有第二端,所述第二端具有位于所述第二端的带尖端的锥形;由第二半导体材料和第二半导体层构成的第二光波导,所述第二光波导光耦合至所述第一光波导的锥形,所述第二光波导具有第一端和第二端,所述第二端具有位于所述第二端的带尖端的锥形;以及由第三半导体材料构成的第三光波导,所述第三光波导光耦合至所述第二光波导的锥形,所述第三光波导的横截面面积大于所述第一光波导和所述第二光波导的横截面面积,以光耦合至横截面面积大于所述第一外部器件的横截面面积的第二外部器件。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |