| 发明名称 | 氧化物烧结体及溅射靶材 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟；原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12；铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上；具有In2O3的方铁锰矿结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102159517A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200980136121.6 | 申请日期 | 2009.09.14 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 宇都野太;井上一吉;川岛浩和;笠见雅司;矢野公规;寺井恒太 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟，原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12，铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上，具有In2O3的方铁锰矿结构。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||