LED外延芯片的分离方法

摘要

一种LED外延芯片的分离方法。该方法为：在预留生长或生长有LED外延结构的硬质衬底背面光学刻蚀形成沟槽，沟槽与预定形成或形成于衬底正面的芯片图形之间的预定分割位置相应；在衬底正面生长外延结构形成外延片，而后沿沟槽将该外延片分割形成单个LED外延芯片，或者直接沿沟槽将外延片分割形成单个LED外延芯片；LED外延芯片的横向尺寸为其厚度的二倍或二倍以上，且沟槽的深度为芯片厚度的十分之一以上。本发明有效简化了LED外延芯片，尤其是大功率LED外延芯片的分离操作，提高了工作效率以及LED芯片的产率，并降低了生产成本。尤其是可使基于透明衬底的LED芯片具有较厚的透明衬底作为出光窗口，发光效率高，特别适于倒装LED芯片应用。

主权项

一种LED外延芯片的分离方法，其特征在于，该方法为：在预留生长或已经生长有LED外延结构的硬质衬底背面经光学刻蚀形成沟槽，所述沟槽与预定形成或已经形成于衬底正面的芯片图形之间的预定分割位置相应；在硬质衬底正面生长外延结构形成外延片，而后沿所述沟槽将该外延片分割形成单个LED外延芯片；或者，直接沿所述沟槽将外延片分割形成单个LED外延芯片；所述LED外延芯片的横向尺寸为其厚度的二倍或二倍以上，且所述沟槽的深度为芯片厚度的十分之一以上。