存储元件和存储装置

摘要

本发明提供了存储元件和存储装置，它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异，并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有：离子源层，它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。

主权项

一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中所述存储层具有：离子源层，它含有碲、硫和硒这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜、银、锌和锆的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且所述两个以上高电阻层具有不同的成分。