| 发明名称 | 用于在基材上制备多功能介电层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于在基材上，特别是在基材上的裸露金属条导体系统上制备多功能介电层的方法。本发明的目的在于提供一种用于铜条导体的多功能钝化层的方法，该方法易于实施并提供了改善的电迁移、应力迁移和改善的结合。根据本发明，这一目的通过在裸露金属条导体(3)的整个表面沉积额外金属层(5)得以实现。随后将所述金属层至少部分转化成非导电性的金属氧化物，介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN102157440A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110048655.2 | 申请日期 | 2004.09.03 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | J·赫尔内德;M·施维尔德;T·格贝尔;A·米切尔;H·克尔纳;M·霍梅尔 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 韦欣华;林毅斌 |
| 主权项 | 一种用于在基材上的未经覆盖的金属互连系统上制备多功能介电层的方法，其包括：在通过化学机械抛光(CMP)露出金属互连件(3)后，将进一步的金属层(5)沉积在所述基材和所述未经覆盖的金属互连件(3)的整个表面上，覆盖所述进一步的金属层的一些部分，从而防止这些部分在随后的步骤中氧化，形成金属薄层电阻，随后将整个基材上除被覆盖部分的该进一步的金属层部分转化成非导电性金属氧化物(7)介电层，该方法的特征在于，在所述基材上形成的所述介电层在一些互连件上作为阻隔层，而在其他互连件上作为用于MIM电容器集成的MIM电介质。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||