| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括冷却功能部件，所述冷却功能部件包括：有源区域，其是由杂质区域形成，形成在半导体层的表面上；N型栅极，其是由包括N型杂质的半导体制成；P型栅极，其是由包括P型杂质的半导体制成；第一金属布线，其连接至所述N型栅极、所述P型栅极和所述有源区域；第二金属布线，其连接至所述P型栅极和所述N型栅极；以及散热部，其连接至所述第二金属布线，用于将热量散发到外部。根据本发明，能够有效地冷却所述半导体层，有效地将热量散发到外部，因此能够稳定所述半导体装置中的电路部件的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102157465A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010614580.5 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 森本类 |
| 分类号 | H01L23/38(2006.01)I;H01L35/30(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：冷却功能部件，所述冷却功能部件包括：有源区域，其是由杂质区域形成，形成在半导体层的表面上；N型栅极，其是由包括N型杂质的半导体制成；P型栅极，其是由包括P型杂质的半导体制成；第一金属布线，其连接至所述N型栅极、所述P型栅极和所述有源区域；第二金属布线，其连接至所述P型栅极和所述N型栅极；以及散热部，其连接至所述第二金属布线，用于将热量散发到外部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||