NMOS晶体管的制作方法

摘要

一种NMOS晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；对栅极进行退火；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极延伸区；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明对栅极进行退火，能使栅极中因注入离子而使晶格状态不稳定，容易非晶化的部分重新多晶化，使栅极的性能提高，进而使半导体器件的电性能也相应提高。

主权项

一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与多晶硅层，在所述多晶硅层中注入预定深度的离子，刻蚀所述多晶硅层和所述栅介质层至露出半导体衬底，刻蚀后的多晶硅层为栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；对栅极进行退火，退火后向带有各膜层的半导体衬底通入氧气以氧化栅极表面；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极延伸区；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。