| 发明名称 | 超薄半导体芯片封装结构及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超薄半导体芯片封装结构，采用双层引线对焊垫呈双列式排布的芯片进行了封装，两路引线互不干涉，进一步提高了电连接可靠性；与此同时，相比现有技术，其采用单面聚合物代替原本芯片背面的玻璃，采用玻璃-硅-聚合物的结构，将封装厚度进一步减薄，实际运用时能将厚度从原来的0.9mm减少至0.5mm，从而大大减小了半导体芯片封装体积。 | ||
| 申请公布号 | CN101789414B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201010116257.5 | 申请日期 | 2010.02.26 |
| 申请人 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 发明人 | 王卓伟;俞国庆;邹秋红;王蔚 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 范晴 |
| 主权项 | 一种超薄半导体芯片封装结构，包括芯片(102)和与芯片(102)正面压合的玻璃基板(101)，所述芯片(102)带有焊垫，所述焊垫通过线路同芯片(102)电连通；其特征在于所述芯片(102)的背面直接沉积第一绝缘层(105)，所述第一绝缘层(105)的背面沉积第一引线层(106)，第一引线层(106)的背面沉积第二绝缘层(107)，该第二绝缘层(107)上设有若干开孔，所述第一引线层(106)的部分表面从所述开孔内暴露；而所述第二绝缘层(107)的背面沉积第二引线层(108)，该第二引线层(108)与第一引线层(106)电隔离，并且所述第二引线层(108)的背面与所述第一引线层(106)暴露的表面上共同沉积有保护层(109)；所述第一引线层(106)暴露的表面上设有若干第一焊接凸起(110)，而第二引线层(108)上则设有若干第二焊接凸起(112)，这些焊接凸起均从保护层(109)上布有的开孔内突出；同时所述焊垫呈双列式排布于芯片(102)四周，其中位于内侧的第一列焊垫(104)通过第一引线层(106)与第一焊接凸起(110)相连，而位于外侧的第二列焊垫(111)则通过第二引线层(108)与第二焊接凸起(112)相连。 | ||
| 地址 | 215126 江苏省苏州市工业园区星龙街428号苏春工业坊11B/C | ||