一种势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池

摘要

本发明涉及一种硅基薄膜太阳电池，特指一种各层掺杂浓度和禁带宽度不同的势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池，其结构分别为P2I2P1I1N1和P1I1N1I2N2，本发明不仅融合了叠层电池和渐变带隙薄膜电池的优点，而且相对于PIN结构，还增加了电池的I层的总厚度，为电子—空穴对的产生提供了更多的场所；增加P2和N2的作用是增强I中的势垒电场，使产生的光生载流子有足够的动能运动到电池的两级，从而增大电池的短路电流和开路电压，同时，填充因子和转换效率也得到了很大的提高，本发明不需要进行中间层及缓冲层的匹配，同时还减少了叠层电池过多的界面效应。

主权项

一种势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池，按入射光线的方向依次包括透明玻璃衬底、透明导电膜（TCO）、P1、I1、N1薄膜层、Al电极，其特征在于：在透明导电膜和P1薄膜层之间依次沉积有P2、I2薄膜层，在P 层的常规掺杂浓度范围内，P2的掺杂浓度比P1的掺杂浓度要大两个数量级，I2的禁带宽度大于I1的禁带宽度，I1的厚度要大于I2的厚度。