| 发明名称 | TFT快闪存储单元的原子层沉积外延硅生长 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种生长外延硅层的方法。所述方法包括提供包括氧封端的硅表面的衬底，并在所述氧封端的硅表面上形成第一氢封端的硅表面。另外，所述方法包括通过由Ar流辅助的SiH4热裂解自由基的原子层沉积(ALD)外延和连续闪光灯退火，在第一氢封端的硅表面上形成第二氢封端的硅表面。所述第二氢封端的硅表面能够通过由Ar流辅助的SiH4热裂解自由基的ALD外延和连续闪光灯退火，加入一个或多个硅层。在一个实施方案中，应用所述方法以制造具有能三维集成的薄膜晶体管(TFT)浮置栅极存储单元结构的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101620991B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200810040288.X | 申请日期 | 2008.07.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种生长外延硅层的方法，所述方法包括：提供包括氧封端的硅表面的衬底；在所述氧封端的硅表面上形成第一氢封端的硅表面，所述第一氢封端的硅表面与每个表面硅原子的单个Si‑H键相连；通过断裂所述Si‑H键和通过由Ar流辅助SiH4热裂解自由基的原子层沉积(ALD)外延和连续闪光灯退火加入硅的原子层，从而在所述第一氢封端的硅表面上形成第二氢封端的硅表面；其中：所述第二氢封端的硅表面与每个表面硅原子的两个Si‑H键相连；所述第二氢封端的硅表面能够通过由Ar流辅助SiH4热裂解自由基的ALD外延和连续闪光灯退火来加入一个或多个硅层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||