| 发明名称 | 半导体装置的处理液及处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1981368B | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200580021970.9 | 申请日期 | 2005.07.11 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;斯特拉化工公司 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;菊山裕久;二井启一;山本雅士 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种处理液，其特征在于，使用5质量％以上的醇类或者5质量％以上的酮类的水溶液作为处理液对硅衬底进行处理，达到自所述硅衬底的原子洗脱量为15原子层/24小时换算以下，所述硅衬底表面的平均线粗糙度(Ra)是0.1nm以下。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||