具有应力沟道区域的改善的CMOS器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有应力沟道区域的改善的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。具体而言，每个改善的CMOS器件包括具有位于半导体器件结构中的沟道区域的场效应晶体管(FET)，所述半导体器件结构具有顶表面和一个或多个附加的表面，所述顶表面沿第一组的等价的晶体平面中的一个取向，以及所述一个或多个附加的表面沿不同的第二组的等价的晶体平面取向。可以通过晶体蚀刻容易地形成这样的附加的表面。此外，具有固有拉伸或压缩应力的一个或多个应力源层位于所述半导体器件结构的所述附加的表面之上并被设置和构建为向所述FET的所述沟道区域施加拉伸或压缩应力。可以通过假晶生长具有与所述半导体器件结构不同的晶格常数的半导体材料来形成这样的应力源层。

主权项

一种半导体器件，包括：场效应晶体管，具有位于半导体器件结构中的沟道区域，所述半导体器件结构具有顶表面和一个或多个附加的表面，所述顶表面沿第一组的等价的晶体平面中的一个取向，所述一个或多个附加的表面沿不同的第二组的等价的晶体平面取向，其中一个或多个应力源层位于所述半导体器件结构的所述一个或多个附加的表面之上并被设置和构建为向所述场效应晶体管的所述沟道区域施加应力，其中所述一个或多个应力源层具有与所述半导体器件结构不同的晶格常数，使得归因于所述应力源层与所述半导体器件结构之间的晶格失配，在所述应力源层中产生固有应力，其中所述半导体器件结构的所述一个或多个附加的表面与所述顶表面形成锐角，以及所述一个或多个应力源层向所述场效应晶体管的所述沟道区域施加与所述固有应力相反类型的应力。