图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，其可以在执行热处理以改善暗特性时，通过减小顶部金属线热应力的方式来避免保护层的损坏。该传感器包括：半导体衬底；多个光电二极管和多个晶体管，形成在半导体衬底的感测部中；绝缘层，形成在半导体衬底上方；至少一个下部层间绝缘层，形成在该绝缘层上方；至少一根下部金属线，形成在层间绝缘层上方；上部层间绝缘层，形成在半导体衬底上方；上部金属线，形成在上部层间绝缘层上方；聚合层，形成在上部层间绝缘层中并且位于该上部金属线的两侧；以及保护层，形成在上部层间绝缘层上方。本发明可以通过形成在层间绝缘层中并且位于顶层的金属线的至少一侧的聚合层图案而避免保护层的损坏。

主权项

一种图像传感器，包括：半导体衬底，限定为感测部和外围驱动部；多个光电二极管和多个晶体管，形成在该半导体衬底的该感测部中；绝缘层，形成在包括所述光电二极管和所述晶体管的该半导体衬底上方；至少一个下部层间绝缘层，形成在该绝缘层上方；至少一根下部金属线，形成在所述至少一个下部层间绝缘层上；上部层间绝缘层，形成在包括所述至少一根下部金属线的该半导体衬底上方；上部金属线，形成在该上部层间绝缘层上；聚合层，形成在该上部层间绝缘层中并且位于该上部金属线的两侧，使得该上部层间绝缘层的顶部表面、该上部金属线的顶部表面和该聚合层的顶部表面共面；以及保护层，形成在包括该聚合层和该上部金属线的该上部层间绝缘层上方。