发明名称 |
一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法 |
摘要 |
一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法,该方法工艺流程为:1)N型硅片化学处理,正面制绒;2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜;3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层;4)对N型硅片周边刻蚀,去除边缘导电层;5)去除氮化硅隔离膜;6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜;7)制作背面铝扩散P层及正负电极。本发明利用常规P型太阳能电池设备制作N型太阳能电池的过程中涉及到磷、铝两次扩散掺杂,在磷扩散前在背面镀一层氮化硅膜阻止磷原子扩散到硅,然后在去磷硅玻璃的时候同时去掉氮化硅隔离膜,使得本发明无需对常规P型太阳能的产线进行改造就可以生产N型电池,解决了生产N型电池与P型电池共线生产的关键问题。 |
申请公布号 |
CN101635319B |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN200910062233.3 |
申请日期 |
2009.05.26 |
申请人 |
珈伟太阳能(武汉)有限公司 |
发明人 |
丁孔奇 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
武汉开元知识产权代理有限公司 42104 |
代理人 |
黄行军 |
主权项 |
一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法,该方法工艺流程为:1)N型硅片化学处理,正面制绒;2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜;3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层以及磷硅玻璃;4)对N型硅片周边刻蚀,去除边缘导电层;5)去除N型硅片正面的磷硅玻璃和背面的氮化硅隔离膜;6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜;7)制作背面铝扩散P层及正负电极。 |
地址 |
430206 湖北省武汉市东湖高新开发区流芳东一产业园一号路3号 |