| 发明名称 | 成膜方法、成膜装置、压电膜、压电器件和液体排出装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种成膜方法，所述成膜方法实现了在面内方向上的膜性质如组成的高度均化，而与形成的膜的组成和基板尺寸无关。在将基板(B)和靶(T)放置成相互面对的情况下，当使用等离子体通过气相沉积在基板(B)上形成含有靶(T)的构成元素的膜时，在距离靶(T)的朝向基板(B)的表面为2-3cm的地方，将基板(B)的面内方向上的等离子体空间中的等离子体电位Vs(V)的变动控制在±10V内。优选的是，在距离靶(T)的朝向基板(20)的表面为2-3cm的地方，将基板(B)的面内方向上的气体压力的变动控制在±1.5％内的情况下进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102159748A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200980136836.1 | 申请日期 | 2009.09.16 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 藤井隆满;直野崇幸;新川高见 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B41J2/045(2006.01)I;B41J2/055(2006.01)I;B41J2/16(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L41/09(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种成膜方法，所述成膜方法在将基板和靶放置成相互面对的情况下，使用等离子体通过气相沉积技术在所述基板上形成含有所述靶的构成元素的膜，所述方法包括：在距离所述靶的朝向所述基板的表面为2‑3cm的地方，将在所述基板的面内方向上的等离子体空间中的等离子体电位Vs(V)的变动控制在±10V以内的情况下，进行成膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||